Для начала узнайте, зачем там столько трансов. конкретно по нашему вопросу. Намёк с уроком ))
далее: вы плохо учились рассматриваем наш случай. особо грузить вас не буду, так, только по щелям. а если внимательно ещё раз взгляните на БП MSB и почитаете очень внимательно теорию о электромагнитном экранировании, то и ещё многое поймёте. будет вам разминка для мозгов, это полезно но для начала почитайте это и не плодите фигни. и не забываем, что экран так же искажает магнитное поле. даже если он не цельный и с щелями, ага )))
"Из сказанного ранее следует, что соответствующим выбором материала экрана и толщины стенок принципиально можно получить сколь угодно большую эффективность экранирования. В реальных же экранах неизбежны более или менее значительные отверстия и щели, которые образуют дополнительный канал для проникновения поля. Вследствие этого эффективность экрана уменьшается.
Если стенки очень тонкие, а отверстия и щели незначительны, то поле внутри экрана создается в основном за счет проникновения через стенки. Смена материала и утолщение стенок могут в этом случае повысить эффективность экранирования. Напротив, если стенки относительно толстые, а отверстия и щели значительны, то поле внутри экрана создается в основном за счет проникновения через эти отверстия и щели, так что утолщение стенок малоэффективно.
В большинстве ситуаций свойства экрана часто определяются не толщиной и типом материала, а дефектами – отклонениями от идеальной конструкции. Этими дефектами являются в основном различные отверстия и щели (нарушения однородности экрана).
Анализ проникновения электромагнитного поля через малое отверстие в бесконечно тонком идеально проводящем экране позволяет сделать следующие выводы. Круглое и квадратное отверстие одной и той же площади пропускают электромагнитное поле практически одинаково. Через узкую щель поле проникает слабее, чем через квадратное отверстие той же площади. Особый интерес представляет то обстоятельство, что при данной форме отверстия момент эквивалентности диполя пропорционален площади этого отверстия в степени три вторых. Из этого следует, что замена одного большого отверстия несколькими малыми, общая площадь которых равна площади этого большого отверстия, будет способствовать улучшению эффективности экрана. Расчеты показывают, что замена одного большого отверстия N малыми с той же общей площадью, ведет к ослаблению поля, проникающего в защищаемую область пространства в раз.
Ориентировочно ослабление поля, проникающего через отверстие, вследствие конечности толщины стенок d можно учесть, рассматривая отверстие как запредельный волновод – волноводный фильтр. Обозначив коэффициент ослабления такого поля через Эα, можно соответственно принять
где α зависит от характера поля, формы и величины отверстия. Значение α для круглого и прямоугольного отверстия приведены в таблице 5.11.
Проникновение поля через отверстие может быть существенно ослаблено путем насадки на это отверстие патрубка.
При этом величина Эα может быть найдена по формуле (5.20) с заменой в ней d на длину патрубка l.
Таблица 5.11. Зависимость коэффициента α от формы и величины отверстия в экране
Форма отверстия
α
квазиэлектростатическое поле
квазимагнитостатическое поле
Круглое с радиусом R
Прямоугольное с шириной b и длиной a
Значительное ослабление проникновения поля через отверстие можно получить, применяя разделение одного большого отверстия на несколько малых с одновременным применением патрубков [8, 9]."